IPB009N03L G 全国供应商、价格、PDF资料

IPB009N03L G详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：180A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：0.95 毫欧 @ 100A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：227nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：25000pF @ 15V

功率_最大：250W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB

供应商设备封装：PG-TO263-7

包装：剪切带 (CT)

IPB009N03L G详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：180A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：0.95 毫欧 @ 100A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：227nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：25000pF @ 15V

功率_最大：250W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB

供应商设备封装：PG-TO263-7

包装：带卷 (TR)

IPB009N03L G详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：180A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：0.95 毫欧 @ 100A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：227nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：25000pF @ 15V

功率_最大：250W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB

供应商设备封装：PG-TO263-7

包装：Digi-Reel®